Mikroskooppien käyttö LEDissä, strategisesti kehittyvässä teollisuudessa
LED (Light Emitting Diode, lyhennettynä LED) on lyhenne sanoista Light Emitting Diode. Vuoden 2009 jälkipuoliskosta lähtien LED-markkinat ovat kokeneet suuren harppauksen. Nopeasti kasvavana, nousevana teollisuudenalana LED-teollisuuden koon odotetaan ylittävän vuoteen 2015 mennessä 500 miljardia yuania, josta 160 miljardia yuania yleisvalaistusteollisuudelle, 120 miljardia yuania suurelle-kokoiselle LCD-televisioiden taustavaloteollisuudelle, 20 miljardia yuania autoteollisuudelle1 ja yleisvaloteollisuudelle0, miljardia yuania. 100 miljardia yuania maisema-, näyttö- ja muilla aloilla.
LED-teollisuuden ketju voidaan karkeasti jakaa kolmeen osaan, nimittäin alkupään substraatin kasvuun, epitaksiaalisten kiekkojen valmistukseen, keskivirran sirupakkauksiin ja loppupään sovellustuotteisiin. Koko toimialaketjussa keskeisiä osia ovat substraatin kasvu ja epitaksikiekkojen valmistus, joiden teknologinen sisältö on suhteellisen korkea ja jotka muodostavat lähes 70 % alan tuotannon arvosta ja tuloksesta.
LED-teollisuuden nykyiseen kehitystrendiin vaikuttavat sekä kansainväliset että kotimaan markkinat. Kansallisen puolijohdevaloprojektin ohjaamana Kiinan LED-teollisuus on alun perin muodostanut suhteellisen täydellisen teollisuusketjun, joka sisältää substraattimateriaalit ennen LEDiä, LED-epitaksiaalisten kiekkojen tuotantoa, LED-sirujen valmistusta, LED-sirujen pakkaamista ja LED-tuotteiden käyttöä.
Kuten hyvin tiedetään, puolijohde{0}}valodiodilla on etuja, kuten korkea muunnostehokkuus ja pitkä käyttöikä, ja niitä pidetään seuraavan sukupolven valonlähteinä, jotka korvaavat tällä hetkellä käytössä olevat perinteiset valonlähteet. Valodiodien nykyisen suorituskyvyn perusteella tämän tavoitteen saavuttamiseksi on kuitenkin vielä voitettava monia teknisiä vaikeuksia, ja tutkimusta on lisättävä materiaalianalyysin ja karakterisoinnin, laiteanalyysitekniikan ja muiden näkökohtien osalta. Optisista mikroskoopeista, pyyhkäisyelektronimikroskoopeista, röntgenenergiaspektrometreistä, sekundääri-ionimassaspektrometreistä ja muista laitteista on tullut olennaisia analyysityökaluja laitevikojen ja rakenneanalyysien sekä valodiodilaitteiden pakkausrakenteen ja sirun rakenteen, koostumuksen ja käyttöliittymän epitaksiaalisten prosessien seurantaan, parantamiseen ja tehostamiseen.
