Transistorin toimintatilan testaus yleismittarilla
Esimerkiksi, jos tehovahvistimessa ei ole lähtöä ja yksi niistä mittaa vain kannan ja emitterin välistä jännitettä 0 V:ksi (piirilevyltä mitattuna), tarkoittaako se, että transistori on vaurioitunut? Annetuista ehdoista on mahdotonta määrittää, onko transistori viallinen olemassa olevien tietojen perusteella. Kaksi asiaa on huomioitava: tehovahvistimen lähtö varmistaa, käytetäänkö transistoria vahvistimena vai kytkintransistorina. Lisäksi, jos sitä käytetään vahvistimena, tulee ensin tarkistaa transistorin bias-piiri (jos bias-piiriä ei ole, transistorin kannan tulee olla negatiivinen normaalissa toiminnassa).
Can a multimeter be used to determine the quality of transistors on a circuit board? What is the voltage at each pole of a transistor during different stages such as amplification, saturation, and cutoff? Obviously, this method can only be used as a reference. It is also necessary to cut off the power and test the online resistance, or even remove the multimeter from the transistor for retesting. As for the voltage at each pole of the transistor, in the amplified state: Uc>Ub>Ue (PNP) or (Ue>Ub>Uc (NPN), toisin sanoen emitteriliitos on positiivisesti biasoitu ja kollektoriliitos on negatiivisesti biasoitu. Tyytyväiset tilat: Launch junction on positiivisesti vinoutunut; Keräimen liitos on positiivisesti vinoutunut. Katkaisutila: käynnistysristeyksen käänteinen bias; Keräimen liitos on käänteinen esijännite. Ominaisjännite riippuu todellisesta tilanteesta, mutta sen on aina täytettävä yllä olevat ehdot.
Puhutaanpa lyhyesti transistorin yleismittarin mittausmenetelmästä. Ensinnäkin, ilman piirin irrottamista, yleismittarin jännitealuetta voidaan käyttää suoraan määrittämään, missä tilassa transistori on.
Mittaa kollektorin emitterin jännite, joka on noin 0,3 - 0,6 volttia ja joka on kyllästetty.
Mittaa kollektorin emitterin jännite, joka on melkein sama kuin jännite ja on katkaistu{0}}katkaisutilassa.
Mittaa kollektoriemitterin jännite välillä 1,0v ja (virtalähdejännite-1) v eri vahvistustiloissa.
Jännite kannan ja emitterin välillä on 0, mutta transistorin vaurioitumista ei tällä hetkellä voida vahvistaa, vaan se on analysoitava tilanteen mukaan.
