Juotosraudan termostaattilämpötilaa ei valvota
Vakiolämpötilainen juotosraudan sisäinen käyttö korkean Curie-lämpötilan nauhan PTC termostaattisen lämmityselementin kanssa, joka on varustettu kiinnitetyllä lämmönjohtavuusrakenteella. Sen ylivertaisuus perinteisiin kuumalankajuottimeen verrattuna, nopea lämmitys, energiansäästö, luotettava toiminta, pitkä käyttöikä ja alhaiset kustannukset. Pienjännitteellä PTC-lämmityssydäntä voidaan käyttää kentällä, helppo huolto.
Termostaattinen juotosraudan lämpötila ohjausliuoksien ulkopuolella
Vakiolämpöisen juotosraudan yleinen vika on lämpötilan hallitsemattomuus, jonka seurauksena juotosraudan lämpötila nousee liian korkeaksi. Toisaalta se johtaa juotospään korkean lämpötilan hapettumiseen (samalla hapettuu myös juote); toisaalta elektroniikkakomponentteja on helppo polttaa korkeassa lämpötilassa juotettaessa. Kun juotoskolvi toimii pitkään korkeissa lämpötiloissa, on myös helppo vahingoittaa sen sisäisiä piirejä, mikä johtaa pysyvään hallinnan menettämiseen tai sitä ei voida jopa käyttää. Vikatarkistuksessa löytyy lämpötilansäätövastuksen R2 liukukoskettimet hapettuen huonon kosketusilmiön aikaansaamiseksi, mikä vastaa lämpötilan säätämistä maksimiylempään rajaan, jolloin raudan lämpötila on korkea. Perimmäinen syy kahdelle pisteelle: yksi on juotosraudan työstö raudan kahvaan (piiri sisäänrakennettu) siirtääkseen osan lämmöstä, jolloin piirin työympäristön lämpötila nousee. Jonkin ajan kuluttua on helppo aiheuttaa R2:n dynaamisten kontaktien hapettumista; Toiseksi tasasuuntaajan suodatinpiirissä oleva virranrajoitusvastus R1 haihduttaa lämpöä ja saa piirin toimimaan korotetussa ympäristön lämpötilassa, mikä on myös helppo aiheuttaa R2:n dynaamisten koskettimien hapettumista.
Tämän vian esiintymisen estämiseksi ehdotetaan seuraavia kahta menetelmää piirin muokkaamiseksi.
(1) Kiinteä vastus säädettävän vastuksen R2 sijaan: Säädä ensin R2 niin, että juotosraudan lämpötila saavuttaa normaalikäytön optimaalisen lämpötilapisteen, ja mittaa sitten R2:n arvo ja korvaa se kiinteällä vastuksella.
2) Muokkaa tasasuuntaajapiiriä: piirirakenne on esitetty kuvassa.
Korvaa R1 C:llä (C ≈ 0.12 μF) ja kytke diodi D1 rinnakkain.
