Yleismittarin käyttötavat invertterin tehomoduulin havaitsemiseen
Kun havaitset virtamoduulin piirissä (eristettynä sähköverkosta), käytä osoitinyleismittarin R×1-aluetta mittaamaan tasasuuntaajan sillan kuusi diodia ja lähtösillan kuuden IGBT-transistorin kollektori ja emitteri sekä eteenpäin että taaksepäin määrittääksesi, ovatko ne rikki. Taulukko 1 ja taulukko 2 esittävät normaalit mittaustulokset. Muuten sisällä on rikki{5}}osia. Käytä osoitinyleismittarin B×1k-aluetta mittaamaan kunkin kuuden IGBT-transistorin (ajosignaalin tuloliittimen) hilan ja emitterin välinen vastus, ja niiden tulee olla samat. Jos on eroja, se osoittaa, että ohjauspiiri tai IGBT-transistori on vaurioitunut. Yllä olevat mittaukset voivat havaita vain IGBT-transistoreiden rikkoontumisvauriot, eivätkä ne pysty havaitsemaan avoimen piirin vaurioita. Kun tehomoduuli on poistettu piirilevyltä, jokainen IGBT-transistori voidaan mitata edelleen. Menetelmä on esitetty kuvassa 1. Vasemmalla oleva osoitin osoittaa ei--johtavuutta ja oikealla oleva osoitin johtavuutta. Jos sitä ei saada johtamaan ja katkaisemaan, transistori on vaurioitunut.
Invertterin tehomoduulin rakenne:
Invertterin tehomoduulin sisällä yksi osa on yksi{0}}vaiheinen tai kolmivaiheinen-diodeista koostuva siltatasasuuntaajapiiri, ja toinen osa on kolmivaiheinen siltalähtöpiiri, joka koostuu kuudesta IGBT-transistorista (Insulated Gate Bipolar Transistors) ja kuudesta yhteistyössä käytetystä vaimennusdiodista.
P1 on +300V-tasasuunnatun lähdön positiivinen napa ja N1 on tasasuunnatun lähdön negatiivinen napa. Nämä kaksi nastaa on kytketty ulkoisesti suodattimen elektrolyyttikondensaattoriin, ja ne on kytketty keskinäisen induktorikelan kautta, jossa P1 on kytketty P2:een ja N1 on kytketty N2:een, jotka syöttävät tehoa kuudesta IGBT-transistorista koostuvaan lähtösillalle.
Kolmen IGBT-transistorin kollektorit kolmivaiheisen lähtösillan ylemmän puoliskon-sillassa on kaikki kytketty virtalähteen positiiviseen napaan, ja emitterit ovat U-, V- ja W-kolmi--vaiheen lähtöliittimet. Kolmen transistorin emitterit ja hilat muodostavat kolmen-vaiheen ylemmän puoliskon-sillan, nimittäin GU-U, GV-V ja GW-W, ohjaussignaalien tuloliittimet. Kolmen vaiheen lähtösillan alemman puoliskon IGBT-transistorin kollektorit on kytketty U, V ja W, ja emitterit on kytketty virtalähteen negatiiviseen napaan. Kolmen transistorin hilat ja virtalähteen negatiivinen napa muodostavat kolmen -vaiheen alemman puoliskon-sillan, nimittäin GX, GY ja GZ, ohjaussignaalien tuloliittimet. B on jarrujen ohjausnapa.
