Kuinka käyttää yleismittaria IGBT-moduulin mittaamiseen?
I. Napaisuuden arvioiminen
Aseta ensin yleismittari R×1K-vaihteelle. Jos mitataan yleismittarilla, yhden navan ja kahden muun navan välinen resistanssi on ääretön ja tämän navan ja kahden muun navan välinen vastus on edelleen ääretön testijohtimien kääntämisen jälkeen, tämä napa katsotaan portiksi (G). Mittaa sitten loput kaksi napaa yleismittarilla. Jos mitattu resistanssi on ääretön ja vastus on pienempi testijohtimien kääntämisen jälkeen. Mittauksessa pienemmällä vastusarvolla punaiseen mittausjohtoon kytketty napa katsotaan kollektoriksi (C) ja mustaan mittausjohtoon kytketty napa emitteriksi (E).
II. Laatua arvioimassa
Aseta yleismittari R×10K-vaihteelle. Liitä musta testijohto IGBT:n kollektoriin (C) ja punainen mittausjohto IGBT:n emitteriin (E). Tällä hetkellä yleismittarin osoitin on nolla-asennossa. Kosketa porttia (G) ja keräintä (C) samanaikaisesti sormillasi. Tällä hetkellä IGBT laukeaa johtamaan, ja yleismittarin osoitin heilahtelee pienemmän vastuksen suuntaan ja voi pysähtyä tiettyyn kohtaan. Kosketa sitten porttia (G) ja emitteriä (E) samanaikaisesti sormillasi. Tällä hetkellä IGBT on estetty ja yleismittarin osoitin palaa nollaan. Tällä hetkellä voidaan arvioida, että IGBT on hyvässä kunnossa.
III. Mitä tahansa osoitin-tyyppistä yleismittaria voidaan käyttää IGBT:n havaitsemiseen
Kun arvioit IGBT:n laatua, muista asettaa yleismittari R×10K-vaihteelle. Koska yleismittarin sisäinen akun jännite R×1K:n alapuolella olevilla vaihteilla on liian alhainen, IGBT:tä ei voida kytkeä päälle sen laadun havaitsemisen aikana, eikä IGBT:n laatua voida arvioida. Tätä menetelmää voidaan käyttää myös tehokenttätransistorien (P-MOSFET) laadun havaitsemiseen.
IGBT-moduulien havaitseminen inverttereissä:
Aseta digitaalinen yleismittari dioditestivaihteelle ja testaa IGBT-moduulin eteen- ja taaksepäin diodin ominaisuudet c1:n ja e1:n, c2:n ja e2:n välillä sekä porttien G ja e1, e2 välillä määrittääksesi, onko IGBT-moduuli hyvässä kunnossa.
Otetaan esimerkkinä kuusi-vaiheinen moduuli. Irrota U-, V- ja W-vaiheiden johdot kuormituspuolelta. Käytä dioditestilaitetta. Liitä punainen mittausjohto P-liittimeen (kollektori c1) ja musta mittausjohto vuorotellen U-, V- ja W-liittimiin. Yleismittarissa näkyvä arvo on suurin. Käännä mittausjohdot päinvastaiseksi, kytke musta mittausjohto P:hen ja punainen mittausjohto U, V ja W. Yleismittarissa näkyvä arvo on noin 400. Liitä sitten punainen mittausjohto N:ään (emitteri e2) ja musta mittausjohto U, V ja W. Yleismittarin arvo on noin 400. Liitä musta mittausjohto P:hen ja näyttöön V, ja monimittarissa on punainen mittausjohto. maksimi. Eteenpäin ja taaksepäin ominaisuuksien tulee olla samat kunkin vaiheen välillä. Jos eroja on, se tarkoittaa, että IGBT-moduulin suorituskyky on heikentynyt ja se on vaihdettava. Kun IGBT-moduuli vaurioituu, tapahtuu vain vikatilanne ja oikosulku.
Käytä punaista ja mustaa mittausjohtoa mittaamaan myötä- ja taaksepäin ominaisuudet portin G ja emitterin E välillä. Jos yleismittarilla kahdesti mitatut arvot ovat molemmat maksimiarvoja, voidaan todeta, että IGBT-moduulin portti on normaali. Jos arvo näytetään, se tarkoittaa, että portin suorituskyky on heikentynyt ja tämä moduuli on vaihdettava. Kun myötä- ja taaksepäintestitulokset ovat nolla, se tarkoittaa, että havaitun vaiheen portti on rikki ja oikosulussa-. Kun portti vaurioituu, myös porttia suojaava piirilevyn jännitteensäädinputki rikkoutuu ja vaurioituu.
