Kuinka käyttää yleismittaria kenttävaikutusputkien laadun havaitsemiseksi?
Koska vaimenemis diodi esiintyy yleisesti käytettyjen MOSFET: ien DS -pylväiden välillä, MOSFET: ien suorituskyky voidaan määrittää käyttämällä digitaalisen monimittarin dioditasoa diodin jännitteen pudotuksen havaitsemiseksi DS -pylväiden välillä. Yksityiskohtainen havaitsemismenetelmä on seuraava.
Käännä digitaalisen monimittarin vaihdekytkin dioditilaan, kytke punainen anturi S -napaan ja mustaan koettimeen D -napaan. Tällä hetkellä yleismittarin näyttö näyttää diodin jännitteen pudotusarvo DS -pylväiden välillä. Suuritehoisten kenttävaikutteisten transistorien jännitteen pudotusarvo on yleensä välillä 0. 4 ja 0. 8v (enimmäkseen 0. 6V); S-napaan kytkettyyn mustan koettimen välillä ei saa olla jännitteen pudotus, D-napaan kytketty punainen koetin ja G-napa ja muut nastat (esimerkiksi N-kanavan kenttävaikutustransistorilla P-kanavan kenttävaikutteisen transistorin tulisi olla jännitteen pudotusarvo, kun punainen anturi on kytketty D-napaan ja mustaan koettimeen on kytketty S-napaan). Päinvastoin, se osoittaa, että kenttävaikutustransistori on vaurioitunut.
Kenttävaikutustransistorit vaurioituvat yleensä erittelyn avulla, ja tässä tapauksessa nastat ovat yleensä oikosulkutilassa. Siksi myös nastaiden välisen jännitteen pudotusarvo tulisi olla OV. Jokaisen MOS-kenttävaikutustransistorin mittauksen jälkeen GS-risteyskondensaattorille veloitetaan pieni määrä varausta, joka muodostaa jännitteen UGS. Mittaamalla uudelleen, anturi ei välttämättä liikkua (jos digitaalista yleismittaria käytetään, mittausvirhe on suuri). Tällä hetkellä oikosulku GS -liittimet lyhyesti.
Kenttävaikutustransistorien vauriot johtuvat yleensä hajoamisesta ja oikosulusta. Tällä hetkellä mitataan yleismittarilla, nastat ovat yleensä yhteydessä toisiinsa. Kun kenttävaikutteiset transistori on vaurioitunut, ulkonäkövaurioita ei yleensä ole. Vakavasti ylivirtavaurioituneiden kenttävaikutteisten transistoreiden suhteen se voi räjähtää.
