Digitaalisen yleismittarin käyttäminen transistorien tasavirtakerrosten mittaamiseen
Transistorilla on kaksi PN -risteystä, samanlainen kuin diodin yksisuuntainen johtavuus. Kun käytetään monimittaria transistorin havaitsemiseksi, sitä voidaan pitää kahtena diodina, joilla on yhteinen emäs, kun taas NPN -tyyppiä voidaan pitää yhteisenä katodin kaksois diodina.
Transistori ei tietenkään ole yksinkertainen rakenne, kuten kuvassa esitetään, koska sillä on nykyinen monistusvaikutus, joka eroaa merkittävästi markkinoissa myytävästä valmiista anodista (tai katodi) diodista. Jälkimmäinen on diodi, jossa on kaksi yleistä anodia (tai katodit) ja ei virran monistuskykyä. Suunnittelukäytännössä digitaalista yleismittarin "diodia" käytetään usein transistorin kahden PN -liitoksen mittaamiseen, ja transistorityyppi määritetään nestekidenäytteessä näytetyn arvon perusteella
Vaiheet transistorin tyypin määrittämiseksi digitaalisella yleismittarilla: Tällä hetkellä markkinoilla on yhteisiä anodia ja yhteisiä katodidiodeja. Vaikka yllä olevat testausmenetelmät voivat määrittää laitteen sisäiset diodit, niitä ei voida määrittää transistoreiksi. Siksi tämän menetelmän käyttäminen ei voi määrittää, että 3- PIN -komponentin, joka sisältää kaksi PN -liitosta, on oltava transistori. Ystävällinen muistutus: Yllä olevissa vaiheissa transistorin tyypin määrittämiseksi pii -transistorin tulisi olla välillä 500 ~ 700, ja germanium -transistorin tulisi olla välillä 200 ~ 300. Tämä arvo edustaa PN -risteyksen eteenpäin suuntautuvan johtavuusjännitettä transistorin sisällä, mitattuna MV: ssä.
Mittaa transistorin DC -kerroin digitaalisella yleismittarilla:
Vaikka yllä olevat testausmenetelmät ja vaiheet voivat määrittää, onko transistori PNP vai NPN, ne eivät voi määrittää, mikä on kollektori ja mikä on emitteri. Käyttämällä digitaalisen monimittarin "HFE" -funktiota mitattaessa transistorin DC -monistuskerrointa, kunkin PIN -koodin nimet voidaan määrittää, jota voidaan kuvata "kahden lintujen tappamiseksi yhdellä kivellä". Yleiset pienet signaalitransistorit S8050 ja S8550, S1815 ja 1015 ovat vastaavasti pareittain. DC -monistuskertoimen mittausmenetelmä on hyvin yksinkertainen: ① Käännä pyörivä valinta "HFE" -asentoon; ② Aseta transistori oikein pistorasiaan "HFE" -vaihteen viereen, ja LCD -lukeminen on tasavirtavahvistuskerroin: transistorin arvo. On huomattava, että maailmassa on tällä hetkellä kaksi transistoritapin lajittelua: yksi on Meixu; Toinen on japanilainen tyyli lajittelu. Matalavirran transistoreille transistorin kolmen nastan järjestys on EBC ja Japanin järjestys on EKP. Riippumatta lajittelusta, kun transistoritappi on alaspäin ja tekstin kasvot ovat katsojaa kohti, vasen tappi on e-nasta.
