Miten infrapunalämpömittaria käytetään kuumavalssausprosessissa?
Kuinka infrapunalämpömittaria käytetään kuumavalssauksessa?
Jinan Iron and Steel Co., Ltd. on puolijatkuva valssaava tuotantolinja, jonka vuosituotanto on 2,5 miljoonaa tonnia. Se koostuu pääosin: kahdesta kävelylämmitysuunista, nelitelaisesta käännettävästä rouhintamyllystä, jossa on pystysuora etutela, ja lentävästä leikkurista. Se koostuu kuuden jalustan viimeistelyvalssausyksiköstä, nauhalaminaarivirtausjäähdytyslaitteesta, kahdesta kelasta, teräskelan kuljetusjärjestelmästä ja muista laitteista. Teräsosien pintalämpötilan mittaamiseksi ja valssattujen osien laadun valvomiseksi infrapunapyrometrit asennetaan neljään kohtaan, nimittäin karkeaan valssausaukkoon, viimeistelyvalssauksen sisäänkäyntiin, viimeistelyvalssauksen ulostuloon ja kelan sisääntuloon.
1. Perusperiaatteet
Kaikki kohteet, joiden lämpötila on yli nollan, lähettävät jatkuvasti infrapunasäteilyä ympäröivään tilaan. Objektin infrapunasäteilyn ominaisuudet: Säteilyenergian koko ja sen jakautuminen aallonpituuksittain liittyvät läheisesti sen pintalämpötilaan. Siksi mittaamalla itse kohteen säteilemää infrapunaenergiaa sen pintalämpötila voidaan mitata tarkasti. Tämä on objektiivinen perusta, johon infrapunasäteilyn lämpötilan mittaus perustuu.
Infrapunalämpömittari, joka tunnetaan myös nimellä infrapunasäteilyn lämpötilan mittaus, on tekniikka, joka käyttää kohteen itsensä lähettämää infrapunasäteilyä kohteen lämpötilan mittaamiseen. Infrapunasäteily tai infrapunasäteet ovat sähkömagneettista säteilyä, jonka aallonpituus on 0,76 μm - 1000 μm. Ihanteelliselle mustalle kappaleelle kaikkien puolipallon muotoiseen tilaan lähetettyjen aallonpituuksien kokonaissäteilyteho pinta-alayksikköä kohti (kutsutaan kokonaissäteilyksi tai säteilyn intensiteetiksi) on 4 kertaa kohteen lämpötila. Suhteutettu tehoon:
Mb(T)=σT4(1)
Tämä on Stefan-Boltzmannin laki. Niistä σ=5.6697×10-8W/m2K4 kutsutaan Stephen-Boltzmannin vakioksi.
Kaavaa (1) käytetään todellisille kohteille ja se on kerrottava säteilynopeudella:
Mgb(T)=εσT4
Voidaan nähdä, että minkä tahansa kohteen spontaani säteilyintensiteetti Mgb (T) liittyy kohteen lämpötilaan ja kohteen emissiokykyyn. Esineen emissiokyky ε liittyy suoraan sen materiaalin ominaisuuksiin (koostumus, metalli ja ei-metalli, kide ja amorfinen jne.), pinnan tilaan (pinnan sileys ja karheus, hapettumisaste, saastuminen tai pinnan pinnoite jne.) .) ja kohteen lämpötila. Niin kauan kuin kohteen emissiokyky on valittu oikein, mitattavan kohteen todellinen lämpötila voidaan saada tarkasti.
Infrapunalämpömittari koostuu kolmesta osasta: optinen järjestelmä, tunnistusyksikkö ja signaalinkäsittely. Optisen järjestelmän päätehtävänä on kerätä mitatun kohteen säteilyteho ja kohdistaa se infrapunatunnistimeen. Infrapunatunnistimen tehtävänä on muuntaa vastaanotettu infrapunasäteily sähköiseksi signaaliulostuloksi.
