Mikroskoopin sovellus strategisesti kehittyvässä teollisuuden LEDissä
1, Safiirisubstraattimateriaalien käyttöönotto
Safiirin hyvien eristysominaisuuksien ansiosta dielektrinen häviö on pieni, korkean lämpötilan kestävyys, korroosionkestävyys. Hyvä lämmönjohtavuus, mekaaninen lujuus on riittävän korkea. Ja voidaan työstää tasaiseksi pinnaksi. Lähetyskaista on leveä. Siksi sitä käytetään laajasti teollisuudessa, maanpuolustuksessa, tieteellisessä tutkimuksessa monilla aloilla. Samalla se on myös hyvä substraattimateriaali monenlaisille valodiodeille. Kun sukupolven valoa emittoivia diodeja on * lupaava tulla korkean kirkkauden valodiodi perheen safiiri substraatti substraatti seuraavan sukupolven loistelamput, puolijohde valoa emittoivien laitteiden substraatti materiaaleja. Tällä hetkellä näitä korkean kirkkauden valodiodeja on käytetty laajalti mainonnassa, liikennevaloissa, instrumenttivaloissa; ja kirurgiset valot ja muut kentät. Korkean kirkkauden valodiodien käytön lisääntyessä.
LED Sapphire (Sapphire) on alumiinioksidin yksikide, joka tunnetaan myös nimellä korundi. Safiirikiteellä on erinomaiset optiset ominaisuudet, mekaaniset ominaisuudet ja kemiallinen stabiilisuus, korkea lujuus, kovuus, huuhtoutumiskestävyys, se voi olla lähellä 2000 astetta korkeaa lämpötilaa ankarissa olosuhteissa. Tutkimusten mukaan on olemassa vain neljä substraattimateriaalia, joita voidaan levittää LEDeihin (katso taulukko I alla). Safiiri tärkeänä teknologiakiteenä on nyt muodostanut muodikkaamman ja kypsemmät sovellukset LED-teollisuudessa.
2. Sovellukset
Leican polarisoivalla mikroskoopilla on mahdollista tunnistaa safiirikiteiden epänormaali kahtaistaittavuus. Tietyissä olosuhteissa kartiovalomikroskoopin avulla voit tarkkailla kiteen interferenssikuviota, määrittää kiteen aksiaalisuuden, jota käytetään tarkkailemaan, onko kunkin kiekon suunta tasainen, jotta voit arvioida, onko substraatti hyvä tai huono.
Leica-mikroskooppi, pyyhkäisyelektronimikroskooppi LED-epitaksiaalisten kiekkojen tuotannossa, LED-sirun valmistusprosessisovellukset
1, LED-epitaksiaalisen kiekon esittely
LED-epitaksiaalisen kiekon kasvun perusperiaatteena on: palassa kuumennettaessa substraatin sopivaan lämpötilaan (pääasiassa safiiri ja, SiC, Si), kaasumaisen aineen InGaAlP kontrolloitu kuljetus substraatin pintaan, kasvu erityinen yksikidekalvo. Nykyinen LED-epitaksiaalinen kiekkojen kasvutekniikka käyttää pääasiassa orgaanisen metallin kemiallista höyrypinnoitusmenetelmää (MOCVD)
2, LED-sirun käyttöönotto
LED-siru, joka tunnetaan myös nimellä LED-valoa emittoiva siru, on led-valon ydinkomponentti, jota kutsutaan myös PN-liitokseksi. Sen päätehtävä on: muuttaa sähköenergiaa valoenergiaksi, sirun päämateriaali on monokiteinen pii. Puolijohdesiru koostuu kahdesta osasta, yksi osa on P-tyyppinen puolijohde, jossa reiät hallitsevat, toinen pää on N-tyyppinen puolijohde, tällä puolella pääasiassa elektronista. Mutta kun nämä kaksi puolijohdetta yhdistetään, niiden välille muodostuu PN-liitos. Kun virta vaikuttaa tähän kiekkoon langan läpi, elektronit työnnetään P-alueelle, jossa elektronit yhdistyvät reikien kanssa, ja sitten energiaa emittoidaan fotonien muodossa, mikä on LED-luminesenssin periaate. Ja valon aallonpituus, joka on valon väri, määräytyy PN-liitosmateriaalien muodostumisen perusteella.
3, Sovellus:
a) Käytä SEM:ää tunnistamaan kidepinnan dislokaatiokorroosiomorfologiatiedot epitaksiaalisen kiekon kasvun jälkeen;
Kiteen pinnan dislokaatiokorroosiomorfologian tuoma merkitys: jokaisen näytteen dislokaatiokorroosio on eri muotoinen ja kide kuuluu pisteryhmään ja kiteen rakenteen määrää kemiallisen syövyttävän aineen rooli on tuhota molekyylejä. ja atomien sisällä kidevuorovaikutuksia sidosten välillä, sidosvoima pienemmän tuhotaan, jotta muodostuu tietyn pisteen korroosion korroosion muoto, joten hyvä kuva korroosion korroosiosta paikalla on ollut yksityiskohtia ** renderöinti, voidaan täysin ilmentää laatua Crystal kasvu kuvio.
